ZHCSRH1 january   2023 BQ21080

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 热性能信息
    4. 7.4 建议运行条件
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
      1. 8.1.1 电池充电过程
        1. 8.1.1.1 涓流充电
        2. 8.1.1.2 预充电
        3. 8.1.1.3 快速充电
        4. 8.1.1.4 终止
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  基于输入电压的动态电源管理 (VINDPM)
      2. 8.3.2  动态电源路径管理模式 (DPPM)
      3. 8.3.3  电池补充模式
      4. 8.3.4  SYS 电源控制（SYS_MODE 位控制）
        1. 8.3.4.1 SYS 下拉控制
      5. 8.3.5  SYS 调节
      6. 8.3.6  ILIM 控制
      7. 8.3.7  保护机制
        1. 8.3.7.1 输入过压保护
        2. 8.3.7.2 电池欠压锁定
        3. 8.3.7.3 系统过压保护
        4. 8.3.7.4 系统短路保护
        5. 8.3.7.5 电池过流保护
        6. 8.3.7.6 安全计时器和看门狗计时器
        7. 8.3.7.7 过热保护和热调节
      8. 8.3.8  按钮唤醒和复位输入
        1. 8.3.8.1 按钮唤醒或按钮短按功能
        2. 8.3.8.2 按钮复位或按钮长按功能
      9. 8.3.9  面向硬件复位的 15 秒超时
      10. 8.3.10 硬件复位
      11. 8.3.11 软件复位
      12. 8.3.12 中断指示器 (/INT) 引脚
      13. 8.3.13 外部 NTC 监控 (TS)
        1. 8.3.13.1 TS 偏置和功能
      14. 8.3.14 I2C 接口
        1. 8.3.14.1 F/S 模式协议
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 寄存器映射
      1. 8.5.1 I2C 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 输入 (IN/SYS) 电容器
        2. 9.2.2.2 TS
        3. 9.2.2.3 推荐的无源器件
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.2 动态电源路径管理模式 (DPPM)

连接有效输入源后，电源路径管理电路会持续监控输入电压和电流。流入 IN 的电流分成电池充电电流和 SYS 系统负载的供电电流。如果充电电流和负载电流之和超过预设的最大输入电流，则输入 DPM 环路会降低输入电流。如果 SYS 降至 DPPM 电压阈值以下，则充电电流将由 DPPM 环路通过 BATFET (Q3) 降低。在 BATFET 充电电流降至零后，如果 SYS 降至低于补充模式阈值，则器件将进入补充模式。当 DPPM 环路受控时，SYS 电压保持在电池电压以上。当 DPPM 环路激活时会禁用电池终止。

VDPPM 阈值通常比 VBAT 高 100mV。VDPPM 禁用位 (VDPPM_DIS = b1) 将允许充电器在 VSYS 上以较低的余量运行。在 VSYS 为 VBAT+225mV 的 VBAT 跟踪模式下，禁用该位将不起作用。