ZHCACT1B September   2022  – November 2023 AM2631 , AM2631-Q1 , AM2632 , AM2632-Q1 , AM2634 , AM2634-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 简介
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
    5. 2.5 配电网络
      1. 2.5.1 仿真
        1. 2.5.1.1 内核数字电源 1.2V
        2. 2.5.1.2 数字/模拟 I/O 电源 3.3V
    6. 2.6 电子保险丝电源
  6. 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 复位
  8. 自动加载
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 OSPI/QSPI 存储器实现
    3. 5.3 ROM OSPI/QSPI 引导要求
  9. JTAG 仿真器和跟踪
  10. 多路复用外设
  11. 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 模拟外设
    1. 9.1 通用模拟外设布线指南
      1. 9.1.1 旋转变压器 ADC 布线指南
  13. 10层堆叠
    1. 10.1 关键堆叠特性
  14. 11过孔
  15. 12BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 12.1 接地回路
    2. 12.2 1.2V 内核数字电源
      1. 12.2.1 主要布局注意事项
    3. 12.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 12.3.1 主要布局注意事项
    4. 12.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 12.4.1 主要布局注意事项
  16. 13参考资料
  17.   修订历史记录

关键堆叠特性

  • 标准 62mil 总厚度
  • L1、L3、L4 和 L6 上的 4 个可选受控阻抗布线层。
  • 所有信号层和电源层都具有相邻的接地基准,以实现受控阻抗规划和 EMI 性能
  • 通过使用相对 4mil、L2-L3 和 L4-L5 电介质层较厚的 28mil 中心内核层,由于 L3 和 L4 之间的低电路板侧耦合,L3 和 L4 铜层可在内部用作受控阻抗、嵌入式微带或带状布线层。
  • L4 电源和 L5 GND 回路层之间的更小电介质厚度可实现最佳的平面电容性能,有助于实现电源完整性和 EMI。
  • 具有所有穿孔过孔层转换的扇出示例 – 无需微过孔或焊盘中的过孔。
表 10-1 LP-AM263 层利用情况
层编号 备注
覆铜 1(顶部) 顶层安装和信号布线
覆铜 2 接地回路平面
覆铜 3 嵌入式微带/带状线信号布线和电源布线
覆铜 4 嵌入式微带/带状线和电源布线
覆铜 5 接地回路平面
覆铜 6(底部) 底层安装和信号布线
表 10-2 受控阻抗规划选项
层编号 参考层编号 结构名称 (1) 布线宽度 (mil) 迹线分离 (mil) 目标阻抗 (Ω) 计算阻抗 (Ω) 说明
L1 L2 涂层微带 5.300 0.000 50.000 50.140
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830 L1,USB 差分
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
L3 L3 偏移带状线 4.750 0.000 50.000 49.960
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 4.000 6.000 90.000 90.040 L3,USB 差分
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 3.500 8.100 100.000 99.880
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 4.000 12.000 100.000 100.160
L6 L5 涂层微带 5.300 0.000 50.000 50.140
L6 L5 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830
L6 L5 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L6 L4 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
使用 Polar 2D 场求解器,针对给定的覆铜和电介质厚度、宽度和耗散常数计算所有阻抗。