ZHCACT1B September   2022  – November 2023 AM2631 , AM2631-Q1 , AM2632 , AM2632-Q1 , AM2634 , AM2634-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
    1. 1.1 首字母缩写词
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
    4. 2.4 功耗
    5. 2.5 配电网络
      1. 2.5.1 仿真
        1. 2.5.1.1 内核数字电源 1.2V
        2. 2.5.1.2 数字/模拟 I/O 电源 3.3V
    6. 2.6 电子保险丝电源
  6. 3 计时
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自动加载
    1. 5.1 SOP 信号实现
    2. 5.2 OSPI/QSPI 存储器实现
    3. 5.3 ROM OSPI/QSPI 引导要求
  9. 6 JTAG 仿真器和跟踪
  10. 7 多路复用外设
  11. 8 数字外设
    1. 8.1 通用数字外设布线指南
  12. 9 模拟外设
    1. 9.1 通用模拟外设布线指南
      1. 9.1.1 旋转变压器 ADC 布线指南
  13. 10层堆叠
    1. 10.1 关键堆叠特性
  14. 11过孔
  15. 12BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 12.1 接地回路
    2. 12.2 1.2V 内核数字电源
      1. 12.2.1 主要布局注意事项
    3. 12.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 12.3.1 主要布局注意事项
    4. 12.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 12.4.1 主要布局注意事项
  16. 13参考资料
  17.   修订历史记录

2.3 电源去耦和滤波

表 2-1 描述了 AM263x 和 AM263Px 所需的初始 BGA 去耦和电源滤波。这些特性基于 Control Card EVM PCB 和 AM263x 封装在瞬态用例中的初始仿真反馈，如表 2-3 所示。

以下各节以及 AM263x EVM 原理图和布局中介绍的去耦网络是任何 AM263x 或 AM263Px PCB 设计的合理起点。但是，由于特定的 PCB 布线差异以及由此产生的平面电容和去耦安装电感以及其他寄生效应，强烈建议设计人员仿真和测量其特定的配电网络性能。理想情况下，仿真和测量应在目标应用软件处于活动状态和适用于系统的预期操作环境条件情况下进行。

AM263Px 传感器封装具有一组额外的 ADC 基准电压 ADC_VREFHI_G3 和 ADC_VREFLO_G3，如图 2-10 所示

表 2-1 AM263x 和 AM263Px 建议的每电源网去耦
器件电源 数量 备注 器件型号 制造商
VDD_CORE 2 2.2µF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata
3 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata
16 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
VNWA 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata
1 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB MuRata
VDD_F 1 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D TDK
1 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
VDDAR_CORE 1 2.2uF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata
2 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata
1 铁氧体磁珠，120Ω（在 100MHz 时），2A，0603 742792625 Wurth
3 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
VDDA18_LDO
VDDA18
VDDA18_OSC_PLL
VDDA18_TEMP		 1 3.3µF，10V，±10%，X5R，0603 GRM188R61A335KE15D Murata
4 0.1µF，6.3V，±10%，X7R，0402 GRM155R70J104KA01D MuRata
VDDS18_LDO
VDDS18		 1 3.3µF，10V，±10%，X5R，0603 GRM188R61A335KE15D Murata
4 0.1µF，6.3V，±10%，X7R，0402 GRM155R70J104KA01D MuRata
VDDS33 3 2.2µF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata
4 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata
1 铁氧体磁珠，120Ω（在 100MHz 时），2A，0603 742792625 Wurth
7 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
VDDA33 1 2.2µF，6.3V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0603 GCM188R70J225KE22D Murata
2 0.22µF，16V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 GCM155R71C224KE02D Murata
1 铁氧体磁珠，120Ω（在 100MHz 时），2A，0603 742792625 Wurth
3 0.01µF，50V，±10%，X7R，AEC-Q200 1 级，0402 CGA2B3X7R1H103K050BB TDK
GUID-20220808-SS0I-XGSH-QK9V-SJTPHHDMZRS1-low.svg图 2-6 AM263x LaunchPad 摘录 – 1.2V 电源去耦原理图
GUID-20220808-SS0I-VVHH-P530-RNGFFJQFWCBX-low.svg图 2-7 AM263x LaunchPad 摘录 – 3.3V 数字 I/O 和模拟 I/O 去耦和滤波原理图
GUID-20220808-SS0I-7NGH-4Z35-41FMS95HDMJJ-low.svg图 2-8 AM263x LaunchPad 摘录 – 1.8V 数字 I/O 和模拟 I/O 去耦和滤波原理图
GUID-20220808-SS0I-3XMN-CK14-9LS9XKFFDTFX-low.svg图 2-9 AM263x LaunchPad 摘录 – ADC 和 DAC VREF 去耦原理图
GUID-610F083F-9294-4BE6-AAC6-1B8CED6756C1-low.png图 2-10 AM263Px controlCard 摘录 – 其他 VREFHI_G3 和 VREFLO_G3 连接