ZHCSVW9 March 2024 TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1
ADVANCE INFORMATION
图 6-16 展示了建议的晶体电路。用于实现振荡器电路的所有分立式元件必须尽可能靠近 MCU_OSC0_XI 和 MCU_OSC0_XO 引脚放置。
晶体必须处于基本工作模式并且并联谐振。表 6-21 总结了所需的电气约束。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fxtal | 晶体并联谐振频率 | 25 | MHz | ||||
Fxtal | 晶体频率稳定性和容差 | 未使用以太网 RGMII 和 RMII | ±100 | ppm | |||
RGMII 和 RMII 使用衍生的时钟 | ±50 | ||||||
CL1+PCBXI | CL1 + CPCBXI 电容 | 12 | 24 | pF | |||
CL2+PCBXO | CL2 + CPCBXO 电容 | 12 | 24 | pF | |||
CL | 晶体负载电容 | 6 | 12 | pF | |||
Cshunt | 晶体电路并联电容 | ESRxtal = 30Ω | 25 MHz | 7 | pF | ||
ESRxtal = 40 Ω | 25 MHz | 5 | pF | ||||
ESRxtal = 50 Ω | 25 MHz | 5 | pF | ||||
ESRxtal | 晶体有效串联电阻 | (1) | Ω |
选择晶体时,系统设计必须根据最坏情况和系统预期寿命来考虑晶体的温度和老化特性。
表 6-22 详细说明了振荡器的开关特性。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|
CXI | XI 电容 | 2.04 | pF | ||
CXO | XO 电容 | 1.91 | pF | ||
CXIXO | XI 至 XO 互电容 | 0.01 | pF | ||
ts | 启动时间 | 4 | ms |