ZHCSVW9 March 2024 TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1
ADVANCE INFORMATION
表 6-39、表 6-40、图 6-33、表 6-41 和图 6-34 展示了 CPTS 的时序条件、要求和开关特性。
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
输入条件 | ||||
SRI | 输入压摆率 | 0.5 | 5 | V/ns |
输出条件 | ||||
CL | 输出负载电容 | 2 | 10 | pF |
编号 | 参数 | 说明 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
T1 | tw(HWTSPUSHH) | 脉冲持续时间,HWnTSPUSH 高电平 | 12P(1) + 2 | ns | |
T2 | tw(HWTSPUSHL) | 脉冲持续时间,HWnTSPUSH 低电平 | 12P(1) + 2 | ns | |
T3 | tc(RFT_CLK) | 周期时间,RFT_CLK | 5 | 8 | ns |
T4 | tw(RFT_CLKH) | 脉冲持续时间,RFT_CLK 高电平 | 0.45T(2) | ns | |
T5 | tw(RFT_CLKL) | 脉冲持续时间,RFT_CLK 低电平 | 0.45T(2) | ns |
编号 | 参数 | 说明 | SOURCE | 最小值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
T6 | tw(TS_COMPH) | 脉冲持续时间,TS_COMP 高电平 | 36P(1) - 2 | ns | ||
T7 | tw(TS_COMPL) | 脉冲持续时间,TS_COMP 低电平 | 36P(1) - 2 | ns | ||
T8 | tw(TS_SYNCH) | 脉冲持续时间,TS_SYNC 高电平 | 36P(1) - 2 | ns | ||
T9 | tw(TS_SYNCL) | 脉冲持续时间,TS_SYNC 低电平 | 36P(1) - 2 | ns | ||
T10 | tw(SYNC_OUTH) | 脉冲持续时间,SYNCn_OUT 高电平 | TS_SYNC | 36P(1) - 2 | ns | |
GENF | 5P(1) - 2 | ns | ||||
T11 | tw(SYNC_OUTL) | 脉冲持续时间,SYNCn_OUT 低电平 | TS_SYNC | 36P(1) - 2 | ns | |
GENF | 5P(1) - 2 | ns |
有关更多信息,请参阅器件 TRM 中的数据移动架构 (DMA) 一章。