CSD95410RRB

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90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级

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VDS (V) 20 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 30 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 90 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Analog temperature output, Catastrophic over-current protection, Cycle-by-cycle over-current protection, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Integrated ringing reduction, Negative over-current protection, Powerstack vertical FET integration, Ultra-low inductance package Rating Catalog
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VQFN-CLIP (RRB) 41 30 mm² 6 x 5
  • 90A 峰值持续电流
  • 30A 电流下系统效率超过 95%
  • 工作频率高(高达 1.75 MHz)
  • 二极管仿真功能
  • 温度补偿双向电流检测
  • 模拟温度输出
  • 故障监控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 优化了击穿保护死区时间
  • 高密度行业通用 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • 耐热增强型顶部散热
  • 符合 RoHS 标准、无铅端子镀层
  • 无卤素
  • 90A 峰值持续电流
  • 30A 电流下系统效率超过 95%
  • 工作频率高(高达 1.75 MHz)
  • 二极管仿真功能
  • 温度补偿双向电流检测
  • 模拟温度输出
  • 故障监控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成自举开关
  • 优化了击穿保护死区时间
  • 高密度行业通用 5mm × 6mm QFN 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的 PCB 空间占用
  • 耐热增强型顶部散热
  • 符合 RoHS 标准、无铅端子镀层
  • 无卤素

CSD95410NexFET™ 功率级是经过高度优化的设计,用于高功率、高密度同步降压转换器。此产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 以实现功率级开关功能。该组合采用 5mm × 6mm 小型封装,可实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了准确电流检测和温度感测功能,以简化系统设计并提高准确度。此外,已对 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

CSD95410NexFET™ 功率级是经过高度优化的设计,用于高功率、高密度同步降压转换器。此产品集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET 以实现功率级开关功能。该组合采用 5mm × 6mm 小型封装,可实现高电流、高效率以及高速切换功能。它还集成了准确电流检测和温度感测功能,以简化系统设计并提高准确度。此外,已对 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD95410 同步降压 NexFET 智能功率级 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 5月 5日

设计和开发

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参考设计

TIDA-010241 — 高性能 Xilinx® 和 Intel® FPGA 平台的灵活电源参考设计

随着现场可编程门阵列 (FPGA) 的处理能力不断提高,电源轨的数量不断增加,对于每个轨的要求也越来越严格。为了满足这些要求,需要使用电源管理 IC (PMIC) 和控制器为所有电源轨供电,并实现时序控制和紧凑外形。
设计指南: PDF
封装 引脚 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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