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LMG3410EVM-031

LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3410EVM-031

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概述

LMG3410EVM-031 configures two LMG3410R150 GaN FETs in a half bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

特性
  • Input voltage operates up to 600 V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3410R150
  • Single PWM input on board for PWM signal with 50-ns dead time
  • Latched over current protection function
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN
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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* EVM 用户指南 LMG3410R150-031 EVM User Guide 2019年 4月 2日
数据表 LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020年 2月 13日
数据表 具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 8月 26日
证书 LMG3410EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 4月 23日

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