UCC5880-Q1

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具有高级保护功能的汽车类 20A 隔离式实时可变 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 具有实时可变驱动强度的双路输出驱动器
    • ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
    • 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 短路保护:
    • 针对 DESAT 事件具有 110ns 响应时间
    • DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
    • 基于分流电阻器的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护
    • 可配置保护阈值和消隐时间
    • 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能够测量电源开关温度、直流链路电压、驱动器内核温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压
    • 可编程数字比较器
  • 高级 VCE/VDS 钳位电路
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
    • INP 至晶体管栅极路径完整性
    • 内部时钟监测
    • 故障警报和警告输出 (nFLT*)
    • ISO 通信数据完整性检查
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C2b
  • 具有实时可变驱动强度的双路输出驱动器
    • ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
    • 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 短路保护:
    • 针对 DESAT 事件具有 110ns 响应时间
    • DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
    • 基于分流电阻器的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护
    • 可配置保护阈值和消隐时间
    • 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能够测量电源开关温度、直流链路电压、驱动器内核温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压
    • 可编程数字比较器
  • 高级 VCE/VDS 钳位电路
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断:
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
    • INP 至晶体管栅极路径完整性
    • 内部时钟监测
    • 故障警报和警告输出 (nFLT*)
    • ISO 通信数据完整性检查
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C2b

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器,具有可调驱动强度,旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器,具有可调驱动强度,旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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* 数据表 UCC5880-Q1 具有高级保护功能、适用于汽车应用的隔离式 20A 可调栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 3月 7日
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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 evaluation module for variable isolated gate drive in traction inverters

UCC5880INVERTEREVM 板上可通过焊接 100nF 电容器负载,独立用于测试 UCC5880-Q1 驱动器,也可用于直接驱动 Wolfspeed XM3 基于 SiC 的半桥电源模块以进行高功率测试。该板上包含两个 UCC14240-Q1 隔离式辅助电源。该 EVM 支持灵活配置不同的 SPI 通信方法,包括常规 SPI、菊花链和基于 TI 地址的 SPI。该 EVM 可与 Sitara™ 和 C2000™ 实时微控制器控制卡连接,用于高达 300kW 的三相逆变器测试

评估板

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 评估模块

UCC5880-Q1 评估模块专为评估具有可调栅极驱动强度和高级保护功能的 20A 隔离式单通道栅极驱动器而设计。该栅极驱动器专用于驱动电动汽车/混合动力汽车应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。UCC5880-Q1 驱动器级具有分离输出双路驱动器,可在不同应用条件下实现非常灵活的栅极驱动强度。包含多种保护功能,如有源米勒钳位、DESAT 检测或分流电流检测、软关断或 2 级软关断、VCE 过压保护、栅极驱动器电源 UVLO 和 OVLO 保护、温度监测和热关断以及栅极监测等,适用于具有高可靠性要求的系统。该驱动器还通过串行外设接口 (SPI) (...)
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDM-02014 — 大功率、高性能汽车类 SiC 牵引逆变器参考设计

TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计,该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术(包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器)如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用,可显著减小 PCB 的大小,具体来说,PCB 面积缩小 2 倍以上,高度低于 4mm (...)
设计指南: PDF
参考设计

PMP31236 — Gate driver reference design for HybridPACK™ Drive IGBT modules

This reference uses six UCC5880-Q1 gate-drive ICs and six LM5180-Q1 isolated bias supplies to interface with and drive Infineon HybridPACK™ insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules. The isolated output voltage is +15 V and −8 V with 100-mA maximum output current each. The input voltage (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 下载
SSOP (DFC) 32 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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