封装信息
| 封装 | 引脚 SSOP (DWJ) | 36 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 750 | LARGE T&R |
UCC5870-Q1 的特性
- 分离输出驱动器，以提供峰值为 30A 的拉电流和峰值为 30A 的灌电流
- 栅极驱动强度动态可调
- 具有 150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲抑制的互锁和击穿保护
- 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
- 可配置功率晶体管保护
- 基于 DESAT 的短路保护
- 基于分流电阻器的过流和短路保护
- 基于 NTC 的过热保护
- 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断 (STO) 和两级关断 (2LTOFF) 保护
- 功能安全合规型
- 集成型诊断：
- 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
- IN+ 至晶体管栅极路径完整性
- 功率晶体管阈值监测
- 内部时钟监测
- 故障警报 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 输出
- 集成式 4A 有源米勒钳位或可选的米勒钳位晶体管外部驱动器
- 高级高压钳位控制
- 内部和外部电源欠压和过压保护
- 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
- 提供内核温度检测和过热保护
- 在 V CM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 kV/µs
- 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
- 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式 10 位 ADC
- 安全相关认证：
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3750V RMS 隔离（计划）
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 0：–40°C 至 125°C 环境工作温度
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4b
UCC5870-Q1 的说明
UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器，在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位，以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。