封装信息
| 封装 | 引脚 VSON (DMK) | 10 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
UCC27201A-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
- 器件温度等级 1：-40°C 至 140°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 分类等级 1C
- 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C3
- HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 最大启动电压：120V
- 最大 VDD 电压：20V
- 片载0.65V VF， 0.6Ω RD 自举二极管
- 工作频率高于 1MHz
- 20ns 传播延迟时间
- 3A 吸收，3A 供电输出电流
- 8ns 上升时间和 7ns 下降时间（采用 1000pF 负载时）
- 1ns 延迟匹配
- 用于高端和低端驱动器的欠压闭锁功能
- 采用 8 引脚 PowerPad 小尺寸集成电路 (SOIC)-8 (DDA) 封装
应用
- 辅助反相器
- 功率传输电路的 DC-DC 转换器
- 开关模式电源
- 电机控制
- 半桥式应用和全桥式转换器
- 两开关正激式转换器
- 有源箝位正激式转换器
- 高电压同步降压型转换器
- D 类音频放大器
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UCC27201A-Q1 的说明
UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A-Q1 基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 驱动器，但提供了一些增强功能。 UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。
UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容阈值，并且采用带有散热焊盘的 8 引脚 SOIC 封装。