封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (DWK) | 14 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 40 | TUBE |
UCC21530-Q1 的特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 开关参数：
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V 和 12V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 工作温度范围：–40°C 至 +125°C
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
UCC21530-Q1 的说明
UCC21530 -Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。
该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。