封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
UCC21220 的特性
- 支持基本隔离和功能隔离
- CMTI 大于 100V/ns
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 开关参数：
- 40ns 最大传播延迟
- 5ns 最大延迟匹配
- 5.5ns 最大脉宽失真
- 35µs 最大 VDD 上电延迟
- 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 工作温度范围 (TA) = –40°C 至 125°C
- 窄体 SOIC-16 (D) 封装
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
- 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）
UCC21220 的说明
UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。
这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。
保护特性包括以下几项：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。
凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。