TRF0213-SEP
- 供应商项目图编号:VID V62/25656
- 辐射:
- 电离辐射总剂量 (TID)
- 耐辐射加固保障 (RHA) 高达 30krad (Si) TID
- 无增强低剂量率敏感性 (ELDRS) 工艺
- 高剂量率辐射批次验收测试 (HDR RLAT) 高达 30krad (Si) TID
- 单粒子效应 (SEE)
- 单粒子锁定 (SEL) 对于 43MeV-cm2/mg 的线性能量传递 (LET) 具有抗扰性
- 单粒子瞬变 (SET) 的特征值基于 43MeV-cm2/mg 的 LET
- 电离辐射总剂量 (TID)
- 增强型航天塑料(航天 EP、SEP)
- 无铅结构
- 扩展温度范围:-55°C 至 +125°C
- 单端输入,差分输出
- 具有驱动射频 ADC 的卓越性能
- 固定 14dB 增益
- 带宽 (3dB):> 14GHz
- 增益平坦度 (1dB):12GHz
- OIP3:31dBm (4GHz)、31dBm (10GHz)
- OP1dB:13.4dBm (4GHz)、15.4dBm (10GHz)
- NF:8.9dB (4GHz)、10.6dB (10GHz)
- 增益和相位不平衡:±0.3dB 和 ±3º
- 关断特性
- 5V 单电源运行
- 有效电流:174mA
TRF0213-SEP 是一款超高性能射频(RF)放大器,专门针对射频应用进行了优化。在驱动高性能 AFE7950-SEP 或 ADC12DJ5200-SEP 等射频采样模数转换器(ADC)时,此器件非常适合需要进行单端转差分的交流耦合应用。此器件结合了宽带增益块和宽带无源换衡器的功能。片上匹配元件可简化印刷电路板 (PCB) 的实现方案,在可用带宽内具有超高性能。此器件采用德州仪器 (TI) 先进的互补 BiCMOS 工艺制造,并采用节省空间的 WQFN-FCRLF 封装。
TRF0213-SEP 由单轨电源供电,消耗约 174mA 的运行电流。断电功能还有助于实现节能。
技术文档
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查看全部 2 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TRF0213-SEP 抗辐射,近直流至 > 14GHz,单端转差分射频放大器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 12月 16日 |
| * | 辐射与可靠性报告 | TRF0213-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025年 10月 8日 |
设计和开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (RPV) | 12 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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