封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 105 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
TPS28225-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
- 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
- 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 用于功率级关断的三态 PWM 输入
- 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
TPS28225-Q1 的说明
TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。
TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。
TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。