ZHCS610D
December 2011 – December 2021
TPS28225-Q1
PRODUCTION DATA
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Undervoltage Lockout (UVLO)
7.3.2
Output Active Low
7.3.3
Enable/Power Good
7.3.4
3-State Input
7.3.5
Bootstrap Diode
7.3.6
Upper and Lower Gate Drivers
7.3.7
Dead-Time Control
7.3.8
Thermal Shutdown
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Switching the MOSFETs
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
第三方产品免责声明
11.2
Documentation Support
11.2.1
Related Documentation
11.3
Receiving Notification of Documentation Updates
11.4
支持资源
11.5
Trademarks
11.6
Electrostatic Discharge Caution
11.7
术语表
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
D|8
MSOI002K
DRB|8
MPDS118K
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
DRB|8
QFND058N
订购信息
zhcs610d_oa
zhcs610d_pm
1
特性
符合汽车应用要求
驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
宽栅极驱动电压:4.5V 至 8.8V,在 7V 至 8V 时效率最高
动力总成系统宽输入电压:3V 至 27V
宽输入 PWM 信号:2V 至 13.2V 振幅
能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
高频运行:14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的
F
SW
能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
用于功率级关断的三态 PWM 输入
通过同一引脚支持使能(输入)和电源正常(输出)信号来节省空间
热关断
UVLO 保护
内部自举二极管
经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
常见三态输入驱动器的高性能替代产品