封装信息
| 封装 | 引脚 WQFN (RVR) | 19 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
LMG1210 的特性
- 工作频率高达 50MHz
- 10ns 典型传播延迟
- 3.4ns 高侧至低侧匹配
- 4ns 最小脉宽
- 两个控制输入选项
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 独立输入模式
- 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
- 外部自举二极管可实现灵活性
- 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
- 高 300V/ns CMTI
- HO 到 LO 的电容小于 1pF
- UVLO 和过热保护
- 低电感 WQFN 封装
LMG1210 的说明
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。
为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。
该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。