封装信息
封装 | 引脚 VSSOP (DGK) | 8 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
LM74670-Q1 的特性
- 符合 AEC-Q100 标准,其中包括以下内容:
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
- 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
- 峰值输入交流电压:42V
- 零 IQ
- 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
- 与肖特基二极管相比,正向压降和功耗更低
- 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号
LM74670-Q1 的说明
LM74670-Q1 是一种控制器器件,可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准,因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案,以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。
LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。