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LM74670-Q1

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具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器

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产品详情

Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 0.48 Vin (max) (V) 42 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0 Iq (max) (mA) 0 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 70 IGate source (max) (µA) 67 IGate sink (typ) (mA) 0.07 IGate pulsed (typ) (A) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 IReverse (typ) (µA) 110 VSense reverse (typ) (mV) 20 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 2.5 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容：
    • 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
    • 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
  • 峰值输入交流电压：42V
  • 零 IQ
  • 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
  • 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号
  • 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容：
    • 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
    • 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
  • 峰值输入交流电压：42V
  • 零 IQ
  • 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
  • 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号

LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。

LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。

LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。

LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。

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用户指南: PDF
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设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian
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