ZHDU074 March   2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1  控制逻辑
      2. 2.2.2  开关电源
        1. 2.2.2.1 计算方法：D
        2. 2.2.2.2 计算方法： 1 – D
        3. 2.2.2.3 计算方法： D + (1 – D)
      3. 2.2.3  传播延迟
      4. 2.2.4  MOSFET 选择
      5. 2.2.5  反激式或续流二极管的选择
      6. 2.2.6  检测电阻的选择
      7. 2.2.7  输入电容的选择
      8. 2.2.8  输出电容选型
      9. 2.2.9  设计示例 #1：单 RSENSE 配置
      10. 2.2.10 设计示例 #2：双 RSENSE 配置
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPSI31P1-Q1
      2. 2.3.2 TPS7A49
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 PCB 布局建议
        1. 4.1.3.1 使用大型回路平面以约束电磁场
        2. 4.1.3.2 尽可能地缩短高 diL/dt 环路长度以控制振荡和 EMI
        3. 4.1.3.3 尽可能减小 SW 节点面积以改善振铃和噪声
        4. 4.1.3.4 尽量减小电感器焊盘以限制寄生电容耦合
        5. 4.1.3.5 高压爬电距离和电气间隙
        6. 4.1.3.6 布局图
    2. 4.2 工具
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5关于作者

4.1.3.3 尽可能减小 SW 节点面积以改善振铃和噪声

正如高 diL/dt 回路通过尽可能缩短长度来获得最佳性能一样，高 diL/dt 节点则通过尽可能减小面积来实现最佳性能。SW 节点由 MOSFET 源极、反激式二极管阴极和电感器连接组成，在 MOSFET 转换期间会经历较高的 diL/dt。当 MOSFET 导通时，SW 节点被拉高至 VBAT。当 MOSFET 关断时，反激式二极管会将 SW 节点拉至 HV−。较大的 SW 节点会产生寄生电感和电容，从而导致振铃和元件应力。此外，更大的 SW 节点会用作天线，产生更大的 E 场和 H 场，从而导致更多 EMI。为了获得最佳性能，SW 节点需要紧凑的设计，并靠近输入电容和参考平面放置。


TIDA-050082 TIDA-050082 板 SW 节点的顶层和底层视图

图 4-4 TIDA-050082 板 SW 节点的顶层和底层视图