ZHDU074 March   2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1  控制逻辑
      2. 2.2.2  开关电源
        1. 2.2.2.1 计算方法：D
        2. 2.2.2.2 计算方法： 1 – D
        3. 2.2.2.3 计算方法： D + (1 – D)
      3. 2.2.3  传播延迟
      4. 2.2.4  MOSFET 选择
      5. 2.2.5  反激式或续流二极管的选择
      6. 2.2.6  检测电阻的选择
      7. 2.2.7  输入电容的选择
      8. 2.2.8  输出电容选型
      9. 2.2.9  设计示例 #1：单 RSENSE 配置
      10. 2.2.10 设计示例 #2：双 RSENSE 配置
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPSI31P1-Q1
      2. 2.3.2 TPS7A49
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 PCB 布局建议
        1. 4.1.3.1 使用大型回路平面以约束电磁场
        2. 4.1.3.2 尽可能地缩短高 diL/dt 环路长度以控制振荡和 EMI
        3. 4.1.3.3 尽可能减小 SW 节点面积以改善振铃和噪声
        4. 4.1.3.4 尽量减小电感器焊盘以限制寄生电容耦合
        5. 4.1.3.5 高压爬电距离和电气间隙
        6. 4.1.3.6 布局图
    2. 4.2 工具
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5关于作者

2.2.5 反激式或续流二极管的选择

反激式二极管必须具有较短的正向恢复时间，以在 MOSFET 关断期间尽可能地减小开关 (SW) 节点上的负电压尖峰。建议使用肖特基二极管（正向恢复时间 < 10ns），以防止元件损坏。

图 2-6 展示了使用慢速反激式二极管 (VS-8EWF12SLHM3) 的设置的预充电波形，并且 SW 节点电压 (VSW) 在 MOSFET 关断期间变为很大的负值。由于负 VSW 会导致 MOSFET 在安全工作区 (SOA) 之外运行，因此该设计会在更高输入电压测试中最终失效。图 2-7 展示了使用更快反激式二极管 (STTH1512) 的设置的预充电波形。VSW 在 MOSFET 关断期间仍变为负值，但由于 MOSFET 在 SOA 内运行，因此该设置通过了更高输入电压的测试。