ZHDU069 March 2026 MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3507 , MSPM0G3519
FOC 应用的硬件电路需要防止 MOSFET 出现任何跨导。通过插入死区时间,可精密控制高侧和低侧 MOSFET,从而避免发生任何击穿事件。
可使用 pUserInputRegs->periphCfg1.b.mcuDeadTimeto 设置不同的 PWM 死区时间。
目前,可以在 pUserInputRegs->periphCfg1 寄存器中将死区时间设置为 6 位可配置值。因此,该寄存器最大可提供 3.2uS。如果需要更大的死区时间,用户可以更新此寄存器,将 appInputCtrlInterface.h 文件中的 MCU_DEAD_TIME 大小增加到的更高位数,从而实现更大的死区时间。
图 7-27 展示了将死区时间配置为 8 位的示例。