ZHDU069 March 2026 MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3507 , MSPM0G3519
在半桥桥臂中高侧和低侧 MOSFET 的开关瞬间之间插入了死区时间,以避免发生击穿情况。
由于存在死区时间插入,相节点上的预期电压与施加的电压会因相电流方向而异。相节点电压失真会在相电流中引入不必要的失真,进而导致可闻噪声。由于死区时间而导致的电流波形失真在 d-q 轴坐标系中显示为基频的六次谐波。
FOC 算法集成了专有死区时间补偿技术,利用谐振控制器将相电流中的六次谐波分量控制为零,从而确保缓解因死区时间导致的电流失真。iq 和 id 控制路径中都包含谐波控制器。可以通过配置 pUserInputRegs->closeLoop1.b.deadTimeCompEn 来启用或禁用死区时间补偿。