ZHDA286 August   2026 DRA821U , DRA821U-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1 , TDA4VP-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 TDA4x EVM 上使用的 OSPI/QSPI 闪存器件
  6. 3 定制电路板的 OSPI 闪存选型注意事项
  7. 4 OSPI 访问模式
    1. 4.1 直接访问 (DAC)
    2. 4.2 间接访问 (INDAC)
    3. 4.3 软件触发指令 (STIG)
    4. 4.4 就地执行 (XIP)
    5. 4.5 推荐的 OSPI 访问模式
  8. 5 OSPI 时钟频率支持
  9. 6 OSPI 刷写与启动支持
  10. 7 OSPI 迁移及所需更新
  11. 8 使用 SDK 驱动程序示例验证 OSPI 配置
  12. 9 TDA4x 器件上的常见 OSPI 问题
    1. 9.1 DAC 寻址限制
    2. 9.2 PHY 调优问题
  13. 10QSPI 启动支持注意事项
  14. 11总结
  15. 12参考资料

4.2 间接访问 (INDAC)

间接访问 (INDAC) 模式使用内部 SRAM 缓冲器在 OSPI 控制器和闪存之间传输数据。

在此模式下：

  • 闪存地址通过控制器寄存器进行显式编程。
  • 数据通过 OSPI 内部 SRAM 进行传输
  • 传输由软件发起。

INDAC 模式通常用于闪存页编程（写入）操作和批量数据传输。擦除命令通常使用 STIG 模式发出。