ZHDA277 August   2026 TDA4AL-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VL-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2详细说明
    1. 2.1  DDR 内联 ECC 概述
      1. 2.1.1 DDR 内联 ECC 的优势
    2. 2.2  ECC 保护区域规划
    3. 2.3  ECC 容量考量
    4. 2.4  ECC 配置指南
      1. 2.4.1 ECC 生成阶段
      2. 2.4.2 ECC 保护阶段
    5. 2.5  为什么需要进行 DDR 预填充
    6. 2.6  使用 DRU 完成 DDR 预填充
    7. 2.7  DRU 资源分配
    8. 2.8  SBL 集成
    9. 2.9  推荐的初始化流程
    10. 2.10 性能评估
    11. 2.11 排除常见的 DDR 内联 ECC 部署问题
      1. 2.11.1 在预填充前启用 ECC 校验
      2. 2.11.2 ECC 区域配置不正确
      3. 2.11.3 已禁用读‑修改‑写操作
    12. 2.12 验证和调试注意事项
  6. 3总结
  7. 4参考资料

2.9 推荐的初始化流程

建议的 TDA4VE DDR 内联 ECC 部署流程图 2-3 建议的 TDA4VE DDR 内联 ECC 部署流程

图 2-3显示了在 TDA4VE 器件上部署 DDR 内联 ECC 的建议初始化序列。

推荐的初始化流程包括以下步骤：

  1. 初始化 DDR 子系统。
  2. 配置受 ECC 保护的存储器区域。
  3. 启用 ECC 生成。
  4. 保持 ECC 校验处于禁用状态。
  5. 初始化 DRU 资源。
  6. 在所有受 ECC 保护的存储器区域执行 DDR 预填充。
  7. 验证所有 DRU 传输操作是否完成。
  8. 启用 ECC 校验。
  9. 根据需要配置 ESM 报告和系统级故障处理。
  10. 将控制权转移到应用软件。

该序列将 ECC 信息生成与运行时 ECC 验证分开。在启用 ECC 校验之前，通过验证所有受保护存储器区域中是否存在有效 ECC 信息，系统可避免启动期间出现错误的 ECC 故障报告，并在完全 SECDED 保护生效的状态下进入运行时工作模式。