ZHDA047 January 2026 ISOM8600 , ISOM8610
ISOM86x0 实现了 TI 全新的光耦仿真器技术,使用 TI 获得专利的 SiO2 隔离材料作为电介质。与光耦合器中使用的气隙或基于环氧树脂的隔离不同,SiO2 提供超高的电介质强度。
| 绝缘材料 | 技术 | 介电强度 |
|---|---|---|
| 空气 | 光学耦合器 | 约 1VRMS/µm |
| 环氧树脂 | 光学耦合器 | 约 20VRMS/µm |
| 二氧化硅填充的模塑化合物 | 光学耦合器 | 约 100VRMS/µm |
| SiO2 | 光耦仿真器和数字隔离器 | 约 500VRMS/µm |
光耦合器中的 LED 信号传输受老化的影响,因此升级到 ISOM8610 也提供了另一个优势。TI 的光耦合器不使用 LED。而是对二极管特性进行仿真。这意味着光耦仿真器可以根据更严格的标准 IEC 60747-17 进行认证并进行寿命隔离测试。传统光耦合器标准 IEC 60747-5-5 不要求对隔离栅进行寿命测试。因此,光耦仿真器可以在整个生命周期内提供更好的器件性能和功能(隔离认证标准详解:光耦合器与光耦仿真器)。
图 3-1 光耦合器横截面
图 3-2 光耦仿真器横截面此外,ISOM86x0 光耦仿真器开关具有显著的优势,例如更宽的温度范围和严格的过程控制,从而实现较小的器件间差异。由于没有要补偿的老化效应,因此仿真二极管输入级的功耗比存在 LED 老化效应并在器件使用寿命内需要更高偏置电流的光耦合器更低。