栅极驱动器

您可以使用三相桥驱动器集成电路 (IC) 来驱动逆变器级的晶体管。不过，由于驱动强度较低（< 500mA），因此三相桥式驱动器解决方案通常需要额外的缓冲器来充当电流提升器。这意味着：需要额外的元件，这将转化为额外的成本；印刷电路板 (PCB) 的尺寸会增大；由于非理想 PCB 布局产生的寄生效应，会导致整个系统面临 EMI 风险并具有更大的传播延迟，从而导致性能下降。

为了帮助尽可能地减小晶体管的开关损耗并降低 EMI 以提高系统效率，请考虑使用半桥栅极驱动器（如 UCC27712-Q1）来驱动逆变器级的每个相位，如图 10 所示。

从栅极驱动器的角度而言，EMI 通常与栅极的过冲有关。图 10 所示的半桥栅极驱动器方法有助于去除多余的元件并降低 PCB 布局的复杂性，因为您可以将驱动器放置在非常靠近晶体管的位置，同时还将开关节点限制在最小范围内。这些操作将减少 EMI 挑战。此外，半桥栅极驱动器不需要使用外部增压级来放大栅极驱动电流，因为该 IC 可以实现大拉电流和灌电流。半桥驱动器通常可实现互锁和死区时间功能，防止两个输出端同时导通并提供足够的裕度来有效驱动晶体管，从而防止半桥击穿。