ZHCUC87 August 2024
在低功耗模式下,所有元件均选择为消耗低于 40μA。该静态电流主要来自 TPS1213-Q1,它在驱动低功耗路径 FET 时会消耗 35μA 的低 IQ。由于 INA296B-Q1 没有使能引脚,因此在低功耗模式下,使用 TPS22919-Q1 负载开关控制 INA296B-Q1 的状态。表 3-2 展示了所有器件在低功耗模式下的静态电流。
| 器件 | IQ(低功耗模式) |
|---|---|
| TPS1213-Q1 | 35μA |
| INA296B-Q1 | 不适用 |
| TPS22919-Q1 | 0.002μA |
| TPS7B81-Q1 | 2.7μA |
| LM74704-Q1 | 1μA |
| MSPM0L1306-Q1(待机模式) | 1.4μA |
图 3-1 展示了 TPS1213-Q1 原理图。由于 LM74704-Q1 在低功耗模式下被禁用,因此由于 Q1 的内部 FET 二极管导通,预计输出电压会下降到 0.7V 左右。
选择负载唤醒触发阈值(该设计为 200mA)时,使用方程式 1:
其中
R4 或 R11 均可用于 RBYPASS,具体取决于是需要高侧还是低侧电阻器。
对于预发布的 TPS1213-Q1 器件,请使用方程式 2 而不是方程式 1。