ZHCUBY2A April   2024  – June 2025 MSPM0C1104 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1105 , MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L1304 , MSPM0L1305 , MSPM0L1306 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 产品系列概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 Microchip AVR ATmega 和 ATiny MCU 与 MSPM0 的产品系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 软件生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MPLAB X IDE 与 Code Composer Studio IDE (CCS)
      3. 2.1.3 MPLAB 代码配置器与 SysConfig
    2. 2.2 硬件生态系统
    3. 2.3 调试工具
    4. 2.4 迁移过程
    5. 2.5 迁移和移植示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存功能
      2. 3.2.2 闪存组织
        1. 3.2.2.1 存储器组
        2. 3.2.2.2 闪存区域
        3. 3.2.2.3 NONMAIN 存储器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
      2. 3.6.2 事件处理程序和 EXTI（扩展中断和事件控制器）
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 引导加载程序 (BSL) 编程选项
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 I2C
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
    7. 4.7 实时时钟 (RTC)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 数模转换器 (DAC)
    4. 5.4 运算放大器 (OPA)
    5. 5.5 电压基准 (VREF)
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

3.2.1 闪存功能

MSPM0 和 Microchip 8 位 MCU 系列器件具有非易失性闪存，用于存储可执行程序代码和应用程序数据。

表 3-2 闪存功能比较
特性 ATmega ATtiny MSPM0G MSPM0L MSPM0C
闪存 64KB 至 4KB 32KB 至 4KB 512KB 至 32KB 256KB 至 8KB 64KB 至 8KB
存储器组织 单个单元 单块
闪存字大小 8 位 64 位 64 位 + 8 个 ECC 位 64 位 + 8 个 ECC 位（如果支持 ECC，请参阅器件特定数据表） 64 位
编程分辨率 8 位

64 位闪存字（32 位、16 位或 8 位，请参阅器件特定的技术参考手册）
擦除 页擦除
芯片擦除（所有组）		 扇区擦除 1KB/库擦除（最大 256KB）
写保护 是 是，静态和动态
读保护 否 是
闪存读取操作 8 位 64 位闪存字大小加 8 个 ECC 位 64 位闪存字大小 + 8 个 ECC 位
（如果支持 ECC，请参阅器件特定数据表）		 64 位闪存字大小
闪存写入操作 8 位 64 位闪存字大小加 8 个 ECC 位 64 位闪存字大小 + 8 个 ECC 位
（如果支持 ECC，请参阅器件特定数据表）		 64 位闪存字大小
纠错码 (ECC) 否 对于 64 位为 8 位 如果支持 ECC，请参阅器件特定数据表 否
预取 否 是 是
CPU 指令缓存 不适用 四个 64 位缓存行、8 条 32 位指令或 16 条 16 位指令 两个 64 位缓存行、4 条 32 位指令或 8 条 16 位指令 两个 64 位缓存行、4 条 32 位指令或 8 条 16 位指令

除了上表中列出的闪存功能外，MSPM0 闪存还具有以下功能：

  • 在整个电源电压范围内支持电路内编程和擦除操作
  • 内部编程电压生成
  • 支持 EEPROM 仿真，在低 32KB 闪存上支持多达 100 000 个编程/擦除周期，在剩余闪存上支持多达 10 000 个编程/擦除周期（32KB 的器件在整个闪存上支持 100 000 个周期）