ZHCUB52A december 2022 – june 2023 LM74900-Q1
TI 的 LM749x0-Q1 评估模块 LM74900Q1EVM 可帮助设计人员评估具有电源路径开/关控制以及过流、短路和过压保护功能的 LM74900-Q1 和 LM74910-Q1 理想二极管控制器的运行情况和性能。LM749x0-Q1 具有 3V 至 65V 的宽输入电源电压,可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。LM749x0-Q1 器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。