ZHCUAO7 December   2022

 

  1.   说明
  2.   资源
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1系统说明
  7. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 辅助电源策略
      2. 2.2.2 高侧 N 沟道 MOSFET
      3. 2.2.3 堆叠式 AFE 通信
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 BQ76942
      2. 2.3.2 LM5168
      3. 2.3.3 ISO1640
      4. 2.3.4 TCAN1042HV
      5. 2.3.5 THVD2410
      6. 2.3.6 TPS7A25
      7. 2.3.7 MSP430FR2155
      8. 2.3.8 TMP61
      9. 2.3.9 TPD2E007
  8. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 电芯电压精度
      2. 3.3.2 电池包电流精度
      3. 3.3.3 辅助电源和系统电流消耗
      4. 3.3.4 保护
      5. 3.3.5 工作模式转换
      6. 3.3.6 ESD 性能
  9. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  10. 5作者简介

2.2.2 高侧 N 沟道 MOSFET

此设计支持高侧 N 沟道 MOSFET 架构，并使用顶部的 BQ76942 电荷泵来驱动 MOSFET。由于顶部 BQ76942 以底部电池组的顶部为基准进行电芯电压测量，因此当顶部 BQ76942 关断 DSG MOSFET 时，顶部 BQ76942 的 DSG 引脚电压是底部电池组电压，该电压太高而无法完全关断 DSG MOSFET。此参考设计添加了一些分立式元件，用于确保 DSG MOSFET 完全快速地关断。

当 DSG MOSFET 需要关断时，MCU 或底部 BQ76942 器件会导通 Q47。P 沟道 MOSFET Q48 导通后，可使 DSG MOSFET 的 Vgs 放电。顶部 BQ76942 将 TOP_DSG 驱动至 TOP_LD 以关断 Q41，从而使 Dri_Test 接地并完全关断 DSG MOSFET。当 DSG MOSFET 关断时，Q47 也能关断以减小功耗。当系统需要导通 DSG MOSFET 时，系统首先确保 Q47 关断，然后使用电荷泵电压驱动 TOP_DSG，则 Q40 导通并为 DSG MOSFET 的 Vgs 充电。