ZHCUAN5 October 2022
借助辅助电源策略，此设计具有极低的电流消耗，尤其是在待机模式和运输模式下。系统级电流消耗包含 3 个部分：(1) 直流/直流电流，(2) BQ76952 电流（进入 BQ76952 BAT 引脚的电流），(3) LDO 电流（进入 BQ76952 REGIN 引脚的电流）。此电流可以通过 (1) R78、(2) R54 和 (3) R78 之间的电压测量出来。表 3-3 显示了电流消耗的测试结果。
| 模式 | 说明 | R79 (100Ω) | R54 (100Ω) | R78 (309Ω) | 总电流 (µA) |
|---|---|---|---|---|---|
| 待机（MOSFET 关闭） | 电压 (mV) | 0.64 | 32 | 9.9 | 70.6 |
| 电流 (μA) | 6.6 | 32 | 32 | ||
| 待机（MOSFET 打开） | 电压 (mV) | 31 | 32 | 9.9 | 374 |
| 电流 (μA) | 310 | 32 | 32 | ||
| 出货 | 电压 (mV) | 0.66 | 0 | 0 | 6.6 |
| 电流 (μA) | 6.6 | 0 | 0 |
在充电和放电 MOSFET 均关闭的待机模式下，总电流消耗小于 100μA。如果在待机模式下需要同时开启充电和放电 MOSFET 以确保零放电延迟，则总电流消耗会更大，因为驱动电路需要数 mA 电流。此设计在两个 MOSFET 开启时的总输入电流约为 400μA。降低直流/直流输入电流的一种方法是降低直流/直流开关频率，此设计中保留了电路。更多有关驱动电路信息，请参阅使用 BQ769x2 电池监测器系列和低侧 FET 应用手册。
图 3-4、图 3-5 和图 3-6 显示了 12V 和
3.3V 时的辅助电路启动和输出纹波。