ZHCU886B October   2020  – March 2022

PRODUCTION DATA  

  1.   商标
  2. 1 通用 TI 高压评估用户安全指南
    1. 1.1 安全性和预防措施
  3. 2 引言
    1. 2.1 LMG342XEVM-04X 子卡
      1. 2.1.1 FAULT 和 OC
      2. 2.1.2 电源引脚
      3. 2.1.3 启动加载模式
      4. 2.1.4 散热器
    2. 2.2 主板
      1. 2.2.1 偏置电源
      2. 2.2.2 PWM 输入
      3. 2.2.3 故障保护
    3. 2.3 典型应用
    4. 2.4 特性
  4. 3  LMG342XEVM-04X 原理图
  5. 4 主板原理图
  6. 5 推荐的封装
  7. 6 测试设备
  8. 7 与 LMG342X-BB-EVM 搭配使用时的测试程序
    1. 7.1 设置
    2. 7.2 启动和运行程序
    3. 7.3 测试结果
    4. 7.4 关断程序
    5. 7.5 其他运行说明
  9. 8 与 LMG34XX-BB-EVM 搭配使用时的测试程序
    1. 8.1 设置
      1. 8.1.1 测试点列表
      2. 8.1.2 终端列表
    2. 8.2 启动和运行程序
    3. 8.3 关断程序
    4. 8.4 其他运行说明
  10. 9 物料清单
  11. 10修订历史记录

2.1 LMG342XEVM-04X 子卡

LMG342XEVM-04X 具有两个半桥配置的 LMG342XR0X0 GaN FET。所有的偏置和电平转换元件都包含在内，使低侧参考信号控制两个 FET。高频去耦电容器包含在优化布局中的功率级，以最小化寄生电感，并降低电压过冲。

电路板的布局对于器件的性能和功能至关重要。TI 首选四层或层数更多的电路板，以减少布局的寄生电感，实现适用性能。具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET 数据表中提供了布局指南，以优化焊点可靠性、电源环路电感、信号到地的连接、开关节点电容和散热性能。

表 2-1 EVM 版本查找表
EVM 名称具有集成驱动器和保护功能的特色 GaN FET
LMG3422EVM-041LMG3422R050
LMG3422EVM-043LMG3422R030
LMG3425EVM-041LMG3422R050
LMG3425EVM-043LMG3425R030

LMG342XEVM-04X 上有 12 个逻辑引脚。

表 2-2 逻辑引脚功能描述
引脚 引脚名称 说明
LS PWM 1 用于低侧 LMG342XR0X0 的逻辑门信号输入。同时兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。
HS TEMP 2 用于高侧 LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 输出。以 AGND 为参考。
LS Fault 3 用于低侧 LMG342XR0X0 的 FAULT 输出信号。以 AGND 为参考。
HS OC 4 用于高侧 LMG342XR0X0 的 OC 输出信号。以 AGND 为参考。
LS OC 5 用于低侧 LMG342XR0X0 的 OC 输出信号。以 AGND 为参考。
HS Fault 6 用于高侧 LMG342XR0X0 的 FAULT 输出信号。以 AGND 为参考。
LS Temp 7 用于低侧 LMG342XR0X0 的 PWM TEMP 输出。以 AGND 为参考。
HS PWM 8 用于高侧 LMG342XR0X0 的逻辑门信号输入。同时兼容 3.3V 和 5V 逻辑。以 AGND 为参考。
12V 9 在引导模式下配置LMG342XEVM-04X时的辅助电源输入。在隔离电源模式下配置时不使用引脚。
5V 10 用于LMG342XEVM-04X 的辅助电源输入。用于为逻辑隔离器供电。当在隔离电源模式下配置时，用作 LMG342XR0X0 器件的输入偏置电源。
AGND 11,12 逻辑和偏置电源接地回路引脚。功能上与 PGND隔离。

LMG342XEVM-04X 上有 6 个电源引脚。

表 2-3 电源引脚功能说明
引脚说明
SW半桥配置的开关节点
HV半桥配置的输入直流电压
PGND半桥配置的电源接地。功能上与 AGND隔离。
GUID-20201013-CA0I-LKXP-K5FL-PHGLZ1CCHCL3-low.png图 2-1 LMG342XEVM-04X 方框图
警告：

无论何时评估模块通电后都会出现高压电平。使用 EVM 时请采取适当的预防措施。