TAS5802 具有不同功率耗散的五种状态，电气特性 表中列出了这些状态。
- 关断模式。PDN 引脚下拉至 GND。所有内部 LDO（数字内核为 1.5V，模拟为 5V）禁用，所有寄存器清除至默认值。
注：
退出关断模式并重新进入播放模式时，需要重新加载所有寄存器配置（由 PurePath Console3 生成）。
- 深度睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=00，器件保持深度睡眠模式。在此模式下，I2C 块和用于数字内核的 1.5V LDO 仍然工作，但内部 5V LDO（用于 AVDD 和 MOSFET 栅极驱动器）已禁用，以实现低功率耗散。此模式可用于延长某些便携式扬声器应用中的电池寿命。如果主机处理器长时间停止播放音频，TAS5802可以设置为深度睡眠模式以更大限度地降低功率耗散，直到主机处理器再次开始播放音频。与关断模式（将 PDN 拉至低电平）不同的是，进入或退出深度睡眠模式，DSP 保持运行状态。
注：
与深度睡眠模式一样，内部 5V LDO（用于 AVDD 和内部 MOSFET 栅极驱动器）被禁用。要退出深度睡眠模式并重新进入播放模式，需执行以下序列以实现内部有限状态机的快速配置（以 TAS5802 I2C 设备地址 0xA8 为例）。
w A8 00 00 #转至页 0
w A8 7f 00 #将簿更改为 0x00
w A8 68 02 #将器件更改为高阻态模式
w A8 68 00 #将器件更改为深度睡眠模式
w A8 00 00 #转至页 0
w A8 7f 00 #将簿更改为 0x00
w A8 68 02 #将器件更改为高阻态模式
w A8 68 03 #将器件更改为播放模式
- 睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=01，器件保持睡眠模式。在此模式下，I2 C 块、数字内核、DSP 存储器、5V 模拟 LDO 仍然工作。与关断模式（将 PDN 拉至低电平）不同的是，进入或退出睡眠模式，DSP 保持运行状态。要退出此模式并重新进入播放模式，只需设置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 输出 Hi-Z 模式。寄存器 0x68h [1:0]=10，器件保持 Hi-Z 模式。在此模式下，只有输出驱动器设置为 Hi-Z 状态，所有其他块都正常运行。要退出此模式并重新进入播放模式，只需设置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 播放模式。寄存器 0x68h [1:0]=11，器件保持播放模式。