ZHCSZG1A November   2024  – August 2025 TAS5802

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5.   器件比较表
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
      1. 5.7.1 采用 1SPW 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
      2. 5.7.2 采用 BD 调制的桥接负载 (BTL) 配置曲线
  8. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源
      2. 6.3.2 器件时钟
      3. 6.3.3 串行音频端口 – 时钟速率
      4. 6.3.4 串行音频端口 (SAP)
      5. 6.3.5 数字音频处理
      6. 6.3.6 D 类音频放大器
        1. 6.3.6.1 扬声器放大器增益选择
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 软件控制
      2. 6.4.2 扬声器放大器工作模式
        1. 6.4.2.1 BTL 模式
      3. 6.4.3 低 EMI 模式
        1. 6.4.3.1 展频
        2. 6.4.3.2 通道间相移
        3. 6.4.3.3 多器件 PWM 相位同步
      4. 6.4.4 热折返
      5. 6.4.5 器件状态控制
      6. 6.4.6 器件调制
        1. 6.4.6.1 BD 调制
        2. 6.4.6.2 1SPW 调制
        3. 6.4.6.3 混合调制
    5. 6.5 编程和控制
      1. 6.5.1 I2C 串行通信总线
      2. 6.5.2 目标地址
        1. 6.5.2.1 随机写入
        2. 6.5.2.2 顺序写入
        3. 6.5.2.3 随机读取
        4. 6.5.2.4 顺序读取
        5. 6.5.2.5 DSP 存储器 Book、Page 和 BQ 更新
        6. 6.5.2.6 校验和
          1. 6.5.2.6.1 循环冗余校验 (CRC) 校验和
          2. 6.5.2.6.2 异或 (XOR) 校验和
      3. 6.5.3 通过软件进行控制
        1. 6.5.3.1 启动过程
        2. 6.5.3.2 关断过程
        3. 6.5.3.3 保护和监控
          1. 6.5.3.3.1 过流关断 (OCSD)
          2. 6.5.3.3.2 直流检测
          3. 6.5.3.3.3 器件过热保护
          4. 6.5.3.3.4 过压保护
          5. 6.5.3.3.5 欠压保护
          6. 6.5.3.3.6 时钟故障
  9. 7 寄存器映射
    1. 7.1 CONTROL PORT 寄存器
  10. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 自举电容器
      2. 8.1.2 电感器选型
      3. 8.1.3 电源去耦
      4. 8.1.4 输出 EMI 滤波
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 2.0(立体声 BTL)系统
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 第 1 步:硬件完整性
          2. 8.2.1.2.2 第 2 步:扬声器调优
          3. 8.2.1.2.3 第 3 步:软件集成
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 DVDD 电源
      2. 8.3.2 PVDD 电源
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 音频放大器通用指南
        2. 8.4.1.2 PVDD 网络中 PVDD 旁路电容布置的重要性
        3. 8.4.1.3 优化散热性能
          1. 8.4.1.3.1 器件、覆铜和元件布局
          2. 8.4.1.3.2 模板图案
            1. 8.4.1.3.2.1 PCB 尺寸和过孔排列
            2. 8.4.1.3.2.2 焊接模板
      2. 8.4.2 布局示例
  11. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  12. 10修订历史记录
  13. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 卷带包装信息
    3. 11.2 机械数据

特性

  • 支持多路输出配置
    • 2 × 22.7W,BTL 模式(8Ω,20V,THD+N=1%)
    • 2 × 28W,BTL 模式(6Ω,20V,THD+N=1%)
  • 出色的音频性能:
    • 65uVrms 空闲噪声(典型值)
    • 1W、1kHz、PVDD = 12V 的条件下,THD + N ≤ 0.06%
    • SNR ≥ 108dB(A 加权)
  • 高效 D 类放大器和更好的热性能:
    • 电源效率高于 90%,RDS(on) 为 120mΩ
  • 灵活音频 I/O:
    • I2S、LJ、RJ、TDM
    • 支持 32kHz、44.1kHz、48kHz、88.2kHz、96kHz 采样率
    • SDOUT(用于实现音频监控、子通道或回声消除)
    • 支持立体声桥接式 (BTL)
  • 增强的音频处理能力
    • 多频段高级 DRC + AGL
    • 具有智能 EQ 的 2×15 BQ
    • 动态 EQ 和智能低音
    • 直流阻断
  • 出色的功耗曲线:
    • 非锁存过流错误 (OCE)
    • 增强过热保护
      • 过热警告 (OTW)
      • 过热错误 (OTE)
    • 欠压/过压锁定 (UVLO/OVLO)
  • 轻松系统集成
    • 灵活的控制策略
      • 软件控制(全功能)
    • 缩小解决方案尺寸
      • 与开环器件相比,所需的无源器件更少
      • 在 PVDD≤12V 的大多数情况下,实现无电感器运行(铁氧体磁珠)