ZHCSXV7A February   2025  – December 2025 SN55LVRA4-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 参数测量信息
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 接收器输出状态
      2. 7.3.2 通用比较器
      3. 7.3.3 共模范围与电源电压
    4. 7.4 等效输入和输出原理图
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
      4. 8.2.4 冷备用
    3. 8.3 主动失效防护功能
    4. 8.4 使用 TI LVDS 接收器进行的 ECL/PECL 至 LVTTL 转换
    5. 8.5 测试条件
    6. 8.6 设备
  10. 电源相关建议
    1. 9.1 电源旁路电容
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 微带与带状线拓扑
      2. 10.1.2 电介质类型和电路板结构
      3. 10.1.3 建议的堆叠布局
      4. 10.1.4 引线间距
      5. 10.1.5 串扰和接地反弹最小化
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (February 2025)to RevisionA (December 2025)

  • 在数据表标题中添加了“耐辐射”一词Go
  • 添加了 VID 编号Go
  • 添加了 SET 表征报告可用性并将 SEL 更新为 50MeVGo
  • 将数据表状态从预告信息 更改为量产数据 Go
  • 更改了封装信息表中的 D (SOIC) 封装尺寸Go
  • 添加了总线引脚 ESD 等级Go
  • 将 HBM ESD 从 2kV 更改为 4kVGo
  • 将 CDM ESD 从 750V 更改为 1000VGo
  • 将使能信号对应的 ROC VIH 最大值更改为 VCC Go
  • 将 VIT1 和 VIT2 从 50mV 更改为 90mVGo
  • 将 TPHL 最大值从 8ns 更改为 8.5nsGo
  • 将 TLH 最小值从 1.8ns 更改为 1.3ns,最大值从 8ns 更改为 7.5nsGo
  • 将 td1 最大值从 11ns 更改为 16nsGo
  • 将 td2 最大值从 2µs 更改为 2.5µs,并删除了最小限值Go
  • 将 tSK(p) 典型值从 200ns 更改为 500nsGo
  • 将 tsk(o) 典型值从 150ns 更改为 130nsGo
  • 将 TPHZ 最大值从 12ns 更改为 15nsGo
  • 将应用图更改为 3.3V 电源,并添加了有关 C1 和 C2 去耦电容器的更多详细信息Go
  • 添加了指向旁路电容建议部分的链接Go
  • 添加了有关去耦电容器的更多信息Go
  • 添加了有关对系统性能的影响的注释Go
日期 修订版本 注释
February 2025 * 初始发行版

All Revision History Changes Intro HTML , to , (from Revision ()to Revision ())

  • 在数据表标题中添加了“耐辐射”一词Go
  • 添加了 VID 编号Go
  • 添加了 SET 表征报告可用性并将 SEL 更新为 50MeVGo
  • 更改了封装信息表中的 D (SOIC) 封装尺寸Go
  • Go
  • 添加了总线引脚 ESD 等级Go
  • 将 HBM ESD 从 2kV 更改为 4kVGo
  • 将 CDM ESD 从 750V 更改为 1000VGo
  • 将使能信号对应的 ROC VIH 最大值更改为 VCC Go
  • 将 VIT1 和 VIT2 从 50mV 更改为 90mVGo
  • 将 TPHL 最大值从 8ns 更改为 8.5nsGo
  • 将 TLH 最小值从 1.8ns 更改为 1.3ns,最大值从 8ns 更改为 7.5nsGo
  • 将 td1 最大值从 11ns 更改为 16nsGo
  • 将 td2 最大值从 2µs 更改为 2.5µs,并删除了最小限值Go
  • 将 tSK(p) 典型值从 200ns 更改为 500nsGo
  • 将 tsk(o) 典型值从 150ns 更改为 130nsGo
  • 将 TPHZ 最大值从 12ns 更改为 15nsGo
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  • 将应用图更改为 3.3V 电源,并添加了有关 C1 和 C2 去耦电容器的更多详细信息Go
  • 添加了指向旁路电容建议部分的链接Go
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  • 添加了有关去耦电容器的更多信息Go
  • 添加了有关对系统性能的影响的注释Go
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  • 删除了相关文档部分中的“评估 LVDS EVM (SLLA033)”要点Go
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