12 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (February 2025)to RevisionA (December 2025)
- 在数据表标题中添加了“耐辐射”一词Go
- 添加了 VID 编号Go
- 添加了 SET 表征报告可用性并将 SEL 更新为 50MeVGo
- 将数据表状态从预告信息 更改为量产数据
Go
- 更改了封装信息表中的 D (SOIC) 封装尺寸Go
- 添加了总线引脚 ESD 等级Go
- 将 HBM ESD 从 2kV 更改为 4kVGo
- 将 CDM ESD 从 750V 更改为 1000VGo
- 将使能信号对应的 ROC VIH 最大值更改为 VCC
Go
- 将 VIT1 和 VIT2 从 50mV 更改为 90mVGo
- 将 TPHL 最大值从 8ns 更改为 8.5nsGo
- 将 TLH 最小值从 1.8ns 更改为 1.3ns,最大值从 8ns 更改为 7.5nsGo
- 将 td1 最大值从 11ns 更改为 16nsGo
- 将 td2 最大值从 2µs 更改为 2.5µs,并删除了最小限值Go
- 将 tSK(p) 典型值从 200ns 更改为 500nsGo
- 将 tsk(o) 典型值从 150ns 更改为 130nsGo
- 将 TPHZ 最大值从 12ns 更改为 15nsGo
- 将应用图更改为 3.3V 电源,并添加了有关 C1 和 C2 去耦电容器的更多详细信息Go
- 添加了指向旁路电容建议部分的链接Go
- 添加了有关去耦电容器的更多信息Go
- 添加了有关对系统性能的影响的注释Go
| 日期 |
修订版本 |
注释 |
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February 2025
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* |
初始发行版 |
All Revision History Changes Intro HTML , to , (from Revision ()to Revision ())
- 在数据表标题中添加了“耐辐射”一词Go
- 添加了 VID 编号Go
- 添加了 SET 表征报告可用性并将 SEL 更新为 50MeVGo
- 更改了封装信息表中的 D (SOIC) 封装尺寸Go
- Go
- 添加了总线引脚 ESD 等级Go
- 将 HBM ESD 从 2kV 更改为 4kVGo
- 将 CDM ESD 从 750V 更改为 1000VGo
- 将使能信号对应的 ROC VIH 最大值更改为 VCC
Go
- 将 VIT1 和 VIT2 从 50mV 更改为 90mVGo
- 将 TPHL 最大值从 8ns 更改为 8.5nsGo
- 将 TLH 最小值从 1.8ns 更改为 1.3ns,最大值从 8ns 更改为 7.5nsGo
- 将 td1 最大值从 11ns 更改为 16nsGo
- 将 td2 最大值从 2µs 更改为 2.5µs,并删除了最小限值Go
- 将 tSK(p) 典型值从 200ns 更改为 500nsGo
- 将 tsk(o) 典型值从 150ns 更改为 130nsGo
- 将 TPHZ 最大值从 12ns 更改为 15nsGo
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- 将应用图更改为 3.3V 电源,并添加了有关 C1 和 C2 去耦电容器的更多详细信息Go
- 添加了指向旁路电容建议部分的链接Go
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- 添加了有关去耦电容器的更多信息Go
- 添加了有关对系统性能的影响的注释Go
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- 删除了相关文档部分中的“评估 LVDS EVM (SLLA033)”要点Go
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