ZHCSXV7A February   2025  – December 2025 SN55LVRA4-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 接收器输出状态
      2. 7.3.2 通用比较器
      3. 7.3.3 共模范围与电源电压
    4. 7.4 等效输入和输出原理图
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 详细设计过程
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 应用性能曲线图
      4. 8.2.4 冷备用
    3. 8.3 主动失效防护功能
    4. 8.4 使用 TI LVDS 接收器进行的 ECL/PECL 至 LVTTL 转换
    5. 8.5 测试条件
    6. 8.6 设备
  10. 9 电源相关建议
    1. 9.1 电源旁路电容
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 微带与带状线拓扑
      2. 10.1.2 电介质类型和电路板结构
      3. 10.1.3 建议的堆叠布局
      4. 10.1.4 引线间距
      5. 10.1.5 串扰和接地反弹最小化
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

11.5 静电放电警告

SN55LVRA4-SEP 静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。