ZHCSXJ4A December   2024  – December 2025 LMG5126

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件配置
      2. 6.3.2  器件启用/禁用 (UVLO/EN)
      3. 6.3.3  多器件运行
      4. 6.3.4  开关频率和同步 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  运行模式（BYPASS、DEM、FPWM）
      7. 6.3.7  VCC 稳压器，BIAS（BIAS 引脚、VCC 引脚）
      8. 6.3.8  软启动（SS 引脚）
      9. 6.3.9  VOUT 编程（VOUT、ATRK、DTRK）
      10. 6.3.10 保护功能
        1. 6.3.10.1 VOUT 过压保护 (OVP)
        2. 6.3.10.2 热关断 (TSD)
      11. 6.3.11 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
      12. 6.3.12 斜率补偿（CSA、CSB）
      13. 6.3.13 电流检测设置和开关峰值电流限制（CSA、CSB）
      14. 6.3.14 输入电流限制和监测（ILIM、IMON、DLY）
      15. 6.3.15 最大占空比和最小可控导通时间限制
      16. 6.3.16 GAN 驱动器、集成启动电容器和二极管以及断续模式故障保护
      17. 6.3.17 信号抗尖峰脉冲概述
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断状态
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 反馈补偿
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.3.2  确定相位总数
        3. 7.2.3.3  确定占空比
        4. 7.2.3.4  定时电阻器 RT
        5. 7.2.3.5  电感器选型 Lm
        6. 7.2.3.6  电流检测电阻器 Rcs
        7. 7.2.3.7  电流检测滤波器 RCSFA、RCSFB、CCS
        8. 7.2.3.8  缓冲组件
        9. 7.2.3.9  Vout 编程
        10. 7.2.3.10 输入电流限制 (ILIM/IMON)
        11. 7.2.3.11 最小负载电阻器
        12. 7.2.3.12 UVLO 分频器
        13. 7.2.3.13 软启动
        14. 7.2.3.14 输出电容器 Cout
        15. 7.2.3.15 输入电容器 Cin
        16. 7.2.3.16 VCC 电容器 CVCC
        17. 7.2.3.17 BIAS 电容器
        18. 7.2.3.18 VOUT 电容器
        19. 7.2.3.19 环路补偿
      4. 7.2.4 应用曲线
        1. 7.2.4.1 效率
        2. 7.2.4.2 稳态波形
        3. 7.2.4.3 阶跃负载响应
        4. 7.2.4.4 热性能
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.16 GAN 驱动器、集成启动电容器和二极管以及断续模式故障保护

该器件集成了用来驱动集成式 GAN FET 的 GAN 驱动器。低侧驱动器由 VCC 供电、高侧驱动器由集成式自举电容器供电。当通过导通低侧 FET 而使 SW 引脚电压约为 0V 时，基础的引导电容器 Cboot 由 VCC 通过内部自举二极管充电。在关断期间，栅极驱动器输出为高阻抗。

如果集成自举电容器电压过低而无法驱动 GAN FET，则断续模式故障保护由 VBOOT-UVLO 触发。如果集成引导电容器电压小于 UVLO 阈值 (VBOOT-UVLO)，则低压侧驱动器强行导通 160ns 以补充引导电容器。该器件允许多达两个连续的充电开关周期。在最多两个连续的自举充电开关周期后，该器件将在 13 个周期跳过该开关操作。如果该器件在两组（每组四个）连续的充电开关周期后未能为自举电容器充满电，该器件将停止开关操作，并进入 512 个周期的断续模式关断时间。在断续模式关断时间 PGOOD = 低电平且 SS 引脚接地。