ZHCSXJ4A December 2024 – December 2025 LMG5126
PRODUCTION DATA
该器件支持旁路模式、强制 PWM (FPWM) 和二极管仿真模式 (DEM) 运行。该模式可以动态更改,并由 MODE 引脚设置。当 VOUT < VI 时,旁路模式会自动激活。在多器件堆叠运行模式下,所有器件必须使用相同的模式。
器件运行模式在 VMODE < 0.4V 时设置为 DEM,在 VMODE > 1.2V 时设置为 FPWM。
| 运行模式 | MODE 引脚 |
|---|---|
| DEM | VMODE < 0.4V |
| FPWM | VMODE > 1.2V |
在二极管仿真模式 (DEM) 下,可阻止电流从 VOUT 流向 VI。在高侧导通时间内监测 SW 引脚电压,当电压降至零电流检测阈值 VZCD 以下时,高侧开关会关断。对于轻负载,该器件在不连续导通模式 (DCM) 下工作,最终会跳过脉冲,从而提高轻负载效率。在 DEM 运行模式下,当 COMP 低于 460mV 时,控制器会开始跳过脉冲。使用方程式 5 计算输入电流的跳过入口点,使用方程式 6 计算输出电流的跳过入口点。在脉冲跳跃期间,内部 BOOT 电容器也需要保持充电状态以驱动高侧 FET,这会导致 BOOT 刷新脉冲。当阻止电流从 VOUT 流向 VI 时,需要根据方程式 7 和方程式 8 设置最小负载,以防止脉冲跳跃期间 VOUT 电压失控。如果负载不足以补偿引导刷新脉冲,VOUT 会增加至编程的 VOVP_max 电平。
在采用调制模式 (FPWM) 的强制脉冲模式下,即使在轻载情况下,转换器也会在连续导通模式 (CCM) 下以固定频率持续进行开关操作。此模式改善了轻负载瞬态响应。
在旁路 (BYPASS) 模式下,VI 通过导通高侧 FET 连接至 VOUT(无调节)。无法控制从 VI 流向 VOUT 的正电流,同时对于 DEM 选择,会阻止电流从 VOUT 流向 VI,而对于 FPWM 选择,则将电流限制在 VNCLTH。在旁路模式期间,器件以 >20kHz 的频率启动引导刷新脉冲,以保持引导电容器充电。
当满足表进入、退出旁路模式 中的条件时,器件会进入和退出旁路模式。
| 运行模式 | 旁路 | 条件 |
|---|---|---|
| DEM/FPWM | 入门级 | VOUT < VI − 100mV 且 VCOMP < VCOMP-MIN + 100mV |
| DEM | 退出 | VCOMP > VCOMP-MIN + 100mV || (VCSA − VCSB) < VZCD_BYP |
| FPWM | 退出 | VCOMP > VCOMP-MIN + 100mV || (VCSA − VCSB) < VNCLTH |