与所有高速器件类似，可以通过精心设计电路板布局布线来实现出色的系统性能。THS4535DGKEVM 用户指南提供了一个很好的高频布局技术示例作为参考。该 EVM 包含许多用于表征目的的额外元件和功能，可能不适用于某些应用。一般高速信号路径布局建议包括：
- 连续接地平面更适合用于具有匹配阻抗引线的信号路由，以实现更长的运行时间；不过，必须在电容敏感输入和输出器件引脚周围打开接地平面和电源平面。将信号发送到电阻器后，寄生电容会更多地导致带宽限制问题，而不是稳定性问题。
- 器件电源引脚的接地平面需要完好的高频去耦电容器 (0.1µF)。另外还需要容值更大的电容 (2.2µF)，但可以将其放置在离器件电源引脚更远的位置并在器件之间共享。为获得良好的高频去耦效果，请考虑使用 X2Y 电源去耦电容器，以提供比标准电容器高得多的自谐振频率。
- 任何可感知距离上的差分信号路由必须使用具有匹配阻抗引线的微带布局技术。
- 输入求和点对寄生电容非常敏感。任何 RG 元件必须以尽可能短的走线连接到电阻器靠近器件引脚端的求和节点。如果需要连接到源或 GND，则 RG 元件的另一侧可能具有更大的布线长度。