ZHCS276G September 2011 – November 2025 DRV8818
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IVM | VM 工作电源电流 | VM = 35V,fPWM < 50kHz | 7 | 10 | mA | |
| IVCC | VCC 工作电源电流 | fPWM < 50kHz | 0.4 | 4 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | VM = 35V | 3 | 20 | μA | |
| IVCCQ | VCC 睡眠模式电源电流 | 0.5 | 20 | μA | ||
| VUVLO | VM 欠压锁定电压 | VM 上升 | 6.7 | 7.5 | V | |
| VCC 欠压锁定电压 | VCC 上升 | 2.75 | 2.95 | |||
| VREF 输入/电流控制精度 | ||||||
| IREF | VREF 输入电流 | VREF = 3.3V | -3 | 3 | μA | |
| ΔICHOP | 斩波电流精度 | VREF = 2.0V,70% 至 100% 电流 | -5% | 5% | ||
| VREF = 2.0V,20% 至 56% 电流 | -10% | 10% | ||||
| 逻辑电平输入 | ||||||
| VIL | 输入低电压 | 0.3 × VCC | V | |||
| VIH | 输入高电压 | 0.7 × VCC | V | |||
| VHYS | 输入迟滞 | 300 | mV | |||
| IIL | 输入低电流 | VIN = 0.3 × VCC | -20 | 20 | μA | |
| IIH | 输入高电流 | VIN = 0.3 × VCC | -20 | 20 | μA | |
| RPU | 上拉电阻 | ENABLEn、RESETn | 1 | MΩ | ||
| RPD | 下拉电阻 | DIR、STEP、SLEEPn、USM1、USM0、SRN | 1 | MΩ | ||
| HomeN 输出 | ||||||
| VOL | 输出低电压 | IO = 200μA | 0.3 × VCC | V | ||
| VOH | 输出高电压 | IO = –200 μA | 0.7 × VCC | V | ||
| 衰减输入 | ||||||
| VIL | 输入低电平阈值电压 | 快速衰减模式 | 0.21 × VCC | V | ||
| VIH | 输入高电平阈值电压 | 慢速衰减模式 | 0.6 × VCC | V | ||
| H 桥 FET | ||||||
| Rds(on) | HS FET 导通电阻 | VM = 24V,IO = 2.5A,TJ = 25°C | 0.22 | 0.30 | Ω | |
| Rds(on) | LS FET 导通电阻 | VM = 24V,IO = 2.5A,TJ = 25°C | 0.15 | 0.24 | Ω | |
| ILEAK | 禁用模式下输出到接地的漏电流 | H 桥处于高阻态,VVM = 35V | 4400 | μA | ||
| 保护电路 | ||||||
| TTSD | 热关断温度 | 裸片温度 | 150 | 160 | 180 | °C |
| IOCP | 过流保护等级 | 3.5 | A | |||
| tOCP | OCP 抗尖峰脉冲时间 | 1.5 | µs | |||
| tRET | OCP 重试时间 | 800 | µs | |||