ZHCS276G September 2011 – November 2025 DRV8818
PRODUCTION DATA
当 SLEEPn 引脚为低电平时,该器件将进入低功耗睡眠模式。在睡眠模式下,所有内部 MOSFET 都被禁用 (Hi-Z),并且内部逻辑稳压器、电荷泵和内部时钟都被禁用。在 SLEEPn 引脚的下降沿之后,必须经过 tSLEEP 时间,器件才能进入睡眠模式。如果 SLEEPn 引脚变为高电平,该器件会自动退出睡眠模式。必须在经过 tWAKE 时间之后,器件才能针对输入做好准备。