ZHCAG19 November 2025 LM5125-Q1 , LM5125A-Q1
4.5 温度测量
效率测量是在与 +25°C 环境温度不同的温度（即 +85°C 和 -35°C）下重复进行的。“电阻器”和“模拟”配置的结果分别如图 4-11 和图 4-10 所示。正如预期的那样，较高温度下的整体效率会下降，而较低温度下的效率与环境温度下的效率相当。
图 4-10 与环境温度相比，不同温度下的电阻器效率图配置
图 4-11 与环境温度相比，不同温度下的模拟效率图配置为了检查电路板的热损耗情况，让器件在 5A 负载下运行 10 分钟，并在两种配置（“电阻器”和“模拟”）下拍摄评估板的红外照片。红外镜头如图 4-13 和图 4-12 中所示。请注意，在较低的输出功率下（“电阻器”配置），二极管变得比低侧 FET 更热（由于导通损耗更高），而在第二种情况下（当输出电压较高时），二极管会发热，因为占空比增加，并且低侧 FET 保持导通的时间更长（因此导通损耗比二极管更高）。总体而言，从图中可以看出，热量主要来自二极管和低侧 FET，而 IC 始终处于黄色到橙色区域。
图 4-12 电阻器配置中的 EVM 热损耗情况
图 4-13 模拟配置中的 EVM 热损耗情况