ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 SiC 和 IGBT 间的主要区别
    2. 1.2 系统 SCP 响应时间要求
    3. 1.3 不同 SCP 位置
  5. 2短路机制
  6. 3短路检测方法
    1. 3.1 基于分流器的方法
    2. 3.2 基于去饱和的方法
    3. 3.3 基于霍尔效应传感器的方法
  7. 4测试设置
  8. 5测量结果
    1. 5.1 基于分流器的测量
    2. 5.2 基于去饱和的测量
    3. 5.3 霍尔效应传感器测量
    4. 5.4 性能比较
  9. 6结语
  10. 7参考资料

5.2 基于去饱和的测量

本节讨论对栅极驱动器 UCC21750-Q1 使用集成去饱和检测的测量结果。表 5-1 列出了各元件的关键值，得到理论消隐时间为 tblk = 1μs。

表 5-1 去饱和设置的元件概述
器件值
R230kΩ
uD20.3V
Cdesat100pF

图 5-4 展示了使用去饱和方法的测量结果。一旦栅源电压 uGS 在 0ns 时达到 SiC MOSFET 的阈值电压，电流 iSC 就会开始上升。同时，电压 udesat 开始增大，在 1600ns 时达到最大值，指示栅极驱动器出现过流。检测完成后，栅极驱动器开始缓慢关断 SiC MOSFET。由于软关断事件，漏源电压过冲在 1700ns 时仅达到 940V。

采用软关断的基于去饱和的方法的波形图 5-4 采用软关断的基于去饱和的方法的波形