ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 SiC 和 IGBT 间的主要区别
    2. 1.2 系统 SCP 响应时间要求
    3. 1.3 不同 SCP 位置
  5. 2短路机制
  6. 3短路检测方法
    1. 3.1 基于分流器的方法
    2. 3.2 基于去饱和的方法
    3. 3.3 基于霍尔效应传感器的方法
  7. 4测试设置
  8. 5测量结果
    1. 5.1 基于分流器的测量
    2. 5.2 基于去饱和的测量
    3. 5.3 霍尔效应传感器测量
    4. 5.4 性能比较
  9. 6结语
  10. 7参考资料

系统 SCP 响应时间要求

从发生短路事件到达到系统安全状态,系统会经历以下几个过程:

  • 电流达到 SCP 阈值该时间通常取决于短路事件的类型、电流路径上的电感、SCP 阈值的裕度等。
  • 电流传感器报告 SCP 信号该时间通常取决于电流传感器的响应时间,该时间至关重要,本文档将对其进行详细说明。
  • SCP 信号传输至栅极驱动器。该时间主要取决于 SCP 信号路径中的元件,这些元件与客户的高级架构设计密切相关。
  • VGS 开始下降。这部分时间主要取决于栅极驱动器的典型传播延迟。
  • 系统进入安全状态。该时间主要取决于栅极驱动器的关断特性、关断电阻、SiC MOSFET 特征参数、主电路中的电感等。

总系统 SCP 响应时间定义为上述响应时间之和,这是 SiC MOSFET 的最终要求。不同设计之间的比较主要在于电流传感器的选择,其他器件保持不变。