ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 SiC 和 IGBT 间的主要区别
    2. 1.2 系统 SCP 响应时间要求
    3. 1.3 不同 SCP 位置
  5. 2短路机制
  6. 3短路检测方法
    1. 3.1 基于分流器的方法
    2. 3.2 基于去饱和的方法
    3. 3.3 基于霍尔效应传感器的方法
  7. 4测试设置
  8. 5测量结果
    1. 5.1 基于分流器的测量
    2. 5.2 基于去饱和的测量
    3. 5.3 霍尔效应传感器测量
    4. 5.4 性能比较
  9. 6结语
  10. 7参考资料

6 结语

本技术白皮书针对高压 SiC MOSFET 的短路保护方案，对三种保护方法进行了全面分析：基于分流器的检测、去饱和方法和基于霍尔效应的检测。基于分流器的方法在低电感电路中具有最快的响应速度和最低的实现成本。在所考察的方法中，去饱和检测的成本相对较高，响应时间较慢，但其优势在于过冲较低。霍尔传感器虽是一种具有成本效益的选择，但需要额外措施来应对高 diSC/dt 场景。PCB 布局优化、元件选择和特定于应用的要求等不同因素之间的平衡，是增强 HEV/EV 系统中 SiC MOSFET 可靠性的关键。

本文的研究工作在 Flex Automotive 的 Vinay Kumar Krishnappa、Christoph Ludecke 和 Jan Riedel 的密切合作下完成，文中的测试结果首次发表于 PCIM 2025 上 [20]。