ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 SiC 和 IGBT 间的主要区别
    2. 1.2 系统 SCP 响应时间要求
    3. 1.3 不同 SCP 位置
  5. 2短路机制
  6. 3短路检测方法
    1. 3.1 基于分流器的方法
    2. 3.2 基于去饱和的方法
    3. 3.3 基于霍尔效应传感器的方法
  7. 4测试设置
  8. 5测量结果
    1. 5.1 基于分流器的测量
    2. 5.2 基于去饱和的测量
    3. 5.3 霍尔效应传感器测量
    4. 5.4 性能比较
  9. 6结语
  10. 7参考资料

5.3 霍尔效应传感器测量

对于基于霍尔效应的测量，需要修改导通栅极电阻 RG,on 以检测短路事件。同时还可以通过增大导通电阻 RG,on 来降低电流的转换率。

因此，在这些测量中，电阻 RG,on 从 15Ω 增大到 25Ω。图 5-5 显示了使用基于霍尔传感器的短路检测的测量结果。在 0ns 时，栅源电压 uGS 达到 SiC MOSFET 的阈值电压，并且电流 iSC 开始上升。故障信号 uhall 在 700ns 时快速下降，从而禁用栅极驱动器。在 830ns 时，栅源电压 uGS 开始下降，安全地关断 MOSFET SHS。漏源电压 uDS 中的最大过冲达到 1090V。

RG,off = 35Ω 时基于霍尔效应的方法的波形图 5-5 RG,off = 35Ω 时基于霍尔效应的方法的波形