ZHCAFY1 November   2025 AMC23C12-Q1 , TMCS1126-Q1 , UCC21750-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 SiC 和 IGBT 间的主要区别
    2. 1.2 系统 SCP 响应时间要求
    3. 1.3 不同 SCP 位置
  5. 2短路机制
  6. 3短路检测方法
    1. 3.1 基于分流器的方法
    2. 3.2 基于去饱和的方法
    3. 3.3 基于霍尔效应传感器的方法
  7. 4测试设置
  8. 5测量结果
    1. 5.1 基于分流器的测量
    2. 5.2 基于去饱和的测量
    3. 5.3 霍尔效应传感器测量
    4. 5.4 性能比较
  9. 6结语
  10. 7参考资料

3.3 基于霍尔效应传感器的方法

霍尔效应传感器在 OBC 和 DCDC 应用中被广泛用来检测电流，也可用于检测短路电流 iSC。霍尔效应传感器通过检测电流流过检测元件所产生的磁场来检测短路电流 [18]。图 3-5 展示了基于霍尔效应传感器的方法的简化电路。

基于霍尔效应的检测的简化电路图 3-5 基于霍尔效应的检测的简化电路

采用集成了比较器的 TMCS1126-Q1 作为基于霍尔效应的电流传感器。短路检测 (OCD) 电路提供一个比较器输出，可用于触发警告或系统关断，以防止由短路、电机停转或其他系统状况引起的电流过大而造成的损坏。该数字响应可以在双向和单向器件上配置为在模拟测量范围的一半与两倍以上之间的任意位置跳闸。

触发阈值使用外部无源元件进行设置。与基于分流器的设计类似，传感器放置在两个电容器 Cc 和 CB 之间。一旦电流 iSC 达到霍尔效应传感器中设定的阈值电流，就会使用过流输出引脚禁用栅极驱动器并关断 SiC MOSFET。