ZHCAFS3 September 2025 UCC25661
GaN FET 的开关速度比 MOSFET 快得多,因此开关期间(导通和关断)的转换时间更短。这可以降低开关损耗,从而进一步减少转换器中产生的热量。
相比之下,由于开关时间更长,MOSFET 更慢并在转换期间会产生更多热量,这在高频条件下尤其明显。