ZHCAFS3 September   2025 UCC25661

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2GaN 在 LLC 谐振转换器中的优势
    1. 2.1 效率更高
    2. 2.2 开关速度更快
    3. 2.3 寄生电容减小
    4. 2.4 功率密度提高
    5. 2.5 导热率高
    6. 2.6 结温更低
  6. 3LLC 谐振转换器
    1. 3.1 LLC 谐振控制器中输出电压 (VOUT) 与开关频率 (fS) 之间的关系
      1. 3.1.1 LLC 充电挑战
      2. 3.1.2 支持宽 VIN/VOUT 范围的 LLC
  7. 4LLC 转换器在采用 GaN 开关的电池充电器中的实际应用
    1. 4.1 要求和范围
    2. 4.2 锂离子电池的充电曲线
    3. 4.3 如何在电池充电器的 LLC 设计中支持宽 VOUT 范围
    4. 4.4 原型硬件
  8. 5总结

2.1 效率更高

在给定的击穿电压和裸片尺寸下，GaN FET 具有更低的传导损耗，因为其 RDS(on) 明显比硅 MOSFET 更低。这是因为 GaN 具有出色的材料特性。电流流过器件时，这会导致功耗降低，从而减少整体发热。这一点在高开关频率下尤其明显，高开关频率在 LLC 谐振转换器中很常见。

MOSFET 也很高效但传导损耗较大，因为其 RDS(on) 随温度和电压增大的速度更快。