本部分旨在将 MOSFET 数据表中通常给出的器件参数与设计计算器中包含的参数相关联。如果数据表中没有参数，请联系器件制造商。

此处的这些参数是使用设计计算器所需的输入。降压相和升压相开关 MOSFET 的参数是相同的。

图 3-2 BQ2575x 设计计算器的 MOSFET 参数输入

设计计算器中的第一个参数是导通状态电阻 (R_DS(on))。这是 MOSFET 导通时漏极和源极端子上的电阻。计算器要求 R_DS(on)为 4.5V 和 10V。R_DS(on) 通常在数据表的电气特性部分或绘制 V_gs 与 R_DS(on) 的图中给出。

总栅极电荷 (Q_G) 是指为栅极电容充电以导通 MOSFET，从而使 MOSFET 的实际栅极电压与驱动电压相匹配所需的电荷（以库仑为单位）。这与开关电荷不同。Q_G 通常在 MOSFET 数据表中给出。通常还提供栅漏电荷 (Q_GD) 和栅源电荷 (Q_GS)。输出电荷 Q_oss 在 方程式 38 中定义。

内部栅极电阻 R_G 可以通过与 MOSFET 栅极串联的电阻建模，如图 2-1 所示。

跨导 (g_fs) 是指 MOSFET 的小信号增益。阈值电压 (V_TH) 是 MOSFET 进入有源区域并在漏极和源极两端传导电流的电压。这两个参数通常都包含在 MOSFET 数据表中。

二极管正向电压 (V_SD) 是 MOSFET 体二极管正向偏置时漏极和源极两端的压降。

反向恢复电荷 (Q_RR) 是存储在体二极管中的电荷，在体二极管可以阻止反向偏置方向的电流流动之前，必须将其耗尽。

热阻是衡量 MOSFET 热性能的指标。对于给定功率耗散，热阻越高，MOSFET 的温度变化越大。